Samsung desenvolve protótipo de memória NAND com 900 camadas e tecnologia de empilhamento duplo

Samsung rompe barreira das 900 camadas em nova memória flash

A Samsung alcançou um patamar histórico no desenvolvimento de memórias de armazenamento ao apresentar um protótipo de chip NAND V de nona geração com 900 camadas empilhadas. O avanço, confirmado por fontes do setor como SamMobile e TrendForce, foi viabilizado por uma técnica batizada de Cell Multi-Bonding (CMB), que consiste em fundir dois wafers independentes de 450 camadas cada em uma única estrutura integrada. O resultado é um chip com capacidade de 1 terabit em formato QLC — um salto expressivo que coloca a fabricante sul-coreana bem à frente de concorrentes como SK Hynix, que opera atualmente com 321 camadas, e a chinesa YMTC, ainda próxima das 300 camadas.

O que muda com o Cell Multi-Bonding

A tecnologia CMB representa uma virada de abordagem na corrida pelo aumento de densidade em memórias NAND. Em vez de tentar empilhar centenas de camadas em um único processo contínuo de fabricação — o que gera desafios crescentes de interferência elétrica e rendimento de produção —, a Samsung opta por manufaturar dois dies de menor altitude separadamente e, em seguida, uni-los com precisão nanométrica. Além da densidade, a empresa redesenhou as estruturas internas de Bitline (BL) e Wordline (WL), o que reduziu simultaneamente o consumo de energia e as dimensões físicas do chip. Para o usuário final, a promessa se traduz em dispositivos que abrem aplicativos com mais agilidade, sustentam melhor a multitarefa e preservam a bateria por mais tempo.

Ainda um protótipo, mas com sinalização clara de futuro

Apesar da relevância técnica da conquista, é importante contextualizar: o chip de 900 camadas está em fase de pesquisa e não possui previsão de chegada ao mercado de consumo. Em paralelo, a Samsung já trabalha na produção em massa da décima geração de memórias NAND, que empregará cerca de 400 camadas — sinal de que o roteiro tecnológico da empresa avança em duas frentes simultâneas: consolidar o que está perto de ser comercializado e explorar os limites do que ainda é experimental. Fontes do setor apontam que a barreira das 1.000 camadas deve ser cruzada nos próximos anos, com a CMB sendo uma das principais apostas para viabilizar essa transição.

Contexto e impacto para o mercado

A corrida por mais camadas em memórias NAND é, em última análise, uma disputa por custo por gigabyte e eficiência energética. Chips mais densos armazenam mais dados num espaço menor, o que permite reduzir o tamanho dos módulos de memória em celulares, tablets e SSDs, ou simplesmente aumentar a capacidade sem alterar o fator de forma. Para o mercado global de armazenamento, a chegada iminente de soluções de 400 camadas em escala industrial e a perspectiva de produtos com 900 camadas no horizonte indicam que os próximos smartphones de ponta devem oferecer ganhos perceptíveis tanto na velocidade de operação quanto na autonomia de bateria — dois dos critérios mais valorizados pelos consumidores. A Samsung, ao tornar público esse avanço, sinaliza também uma mensagem estratégica para concorrentes e fabricantes de dispositivos: a liderança em memória de armazenamento continuará sendo disputada com intensidade nos próximos ciclos tecnológicos.

Fonte original: Canaltech — publicado em 25 de maio de 2026.